类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

材料

本体材质

形状

包装冷却

材料处理

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

系列

容差

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

组成

颜色

行数

附加功能

子类别

最大功率耗散

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

房屋颜色

配置

终端类型

附着方法

离底高度(鳍的高度)

强制空气流动时的热阻

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

产品类别

屏蔽的

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

输入电容

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

最大rds

自然环境下的热阻

温度上升时的耗散功率

产品

连接类型

Vf-正向电压

产品类别

直径

高度

长度

宽度

辐射硬化

可燃性等级

评级结果

APTM100H35FTG
APTM100H35FTG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

SP4

微芯片技术

APTM100

22A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

22

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

4 N-Channel (Half Bridge)

390W

420mOhm @ 11A, 10V

5V @ 2.5mA

5200pF @ 25V

186nC @ 10V

1000V (1kV)

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

NVMD3P03R2G
NVMD3P03R2G
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8-SOIC

Nylon

Fairchild Semiconductor

45 Degrees

AL21/PG16/S45/BL

CE, CSA, UL

Adaptaflex, a Division of T & B

Bulk

2.34A (Tj)

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

Non-Metallic

730mW (Ta)

2 P-Channel (Dual)

85mOhm @ 3.05A, 10V

2.5V @ 250µA

750pF @ 24V

25nC @ 10V

30V

Standard

Snap-In

APTMC170AM30CT1AG
APTMC170AM30CT1AG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1

NO

SP1

12

碳化硅

微芯片技术

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.75

100 A

U-37768

Turck

100

Bulk

APTMC170

100A (Tc)

活跃

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

-40 °C

未说明

150 °C

有

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

EAR99

Silicon Carbide (SiC)

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

R-XUFM-X12

2 N Channel (Phase Leg)

增强型MOSFET

700

ISOLATED

700W

SWITCHING

30mOhm @ 100A, 20V

2.3V @ 5mA (Typ)

6160pF @ 1000V

380nC @ 20V

1700V (1.7kV)

N-CHANNEL

100 A

0.035 Ω

200 A

1700 V

Dual N

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

700 W

-

ZXMP6A18DN8QTC
ZXMP6A18DN8QTC
Diodes 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15 Weeks

YES

8

SILICON

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

小概要

PLASTIC/EPOXY

30

有

ZXMP6A18DN8QTC

RECTANGULAR

Diodes Incorporated

2

活跃

DIODES INC

5.61

3.7 A

e3

EAR99

Matte Tin (Sn)

HIGH RELIABILITY

DUAL

鸥翼

260

compliant

AEC-Q101

R-PDSO-G8

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

P-CHANNEL

0.055 Ω

23 A

60 V

38.2 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

KFC4B22690L
KFC4B22690L
Nuvoton 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

4-XFLGA, CSP

4-CSP (1.1x1.1)

Nuvoton Technology Corporation

Tape & Reel (TR)

KFC4

3.4A (Ta)

活跃

150°C

Automotive, AEC-Q100

MOSFET (Metal Oxide)

-

32mOhm @ 1.7A, 4.5V

1.4V @ 160µA

20V

Standard

DMN32D0LVQ-13
DMN32D0LVQ-13
Diodes 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOT-563, SOT-666

SOT-563

Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

Tape & Reel (TR)

DMN32

680mA (Ta)

活跃

10000

Diodes Incorporated

-55°C ~ 150°C (TJ)

Automotive, AEC-Q101

MOSFETs

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel

480mW (Ta)

1.2Ohm @ 100mA, 4V

1.2V @ 250µA

44.8pF @ 15V

0.62nC @ 4.5V

30V

MOSFET

Standard

MOSFET

NXH020U90MNF2PTG
NXH020U90MNF2PTG
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

+ 150 C

- 8 V, + 18 V

- 40 C

20

onsemi

压装

onsemi

onsemi

14 mOhms

Details

110 ns

149 A

Tray

NXH020

149A (Tc)

活跃

1200 V

900 V

43.2 ns

4.3 V

352 W

N-Channel

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

-

SiC MOSFET Module

Discrete Semiconductor Modules

Silicon Carbide (SiC)

2 N-Channel (Dual)

352W (Tj)

14mOhm @ 100A, 15V

4.3V @ 40mA

7007pF @ 450V

546.4nC @ 15V

19.8 ns

900V

Discrete Semiconductor Modules

-

功率MOSFET模块

2.3 V

Discrete Semiconductor Modules

APTM100H45FT3G
APTM100H45FT3G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3

SP3

PEI-Genesis

18

APTM100

18A

1

Microchip

微芯片技术

Details

Bulk

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

*

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

4 N-Channel (Half Bridge)

357W

540mOhm @ 9A, 10V

5V @ 2.5mA

4350pF @ 25V

154nC @ 10V

1000V (1kV)

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

FDW2521C
FDW2521C
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

8-TSSOP

Fairchild Semiconductor

Bulk

5.5A, 3.8A

Obsolete

-55°C ~ 150°C (TJ)

PowerTrench®

600mW

N and P-Channel

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

1.5V @ 250µA

1082pF @ 10V

17nC @ 4.5V

20V

逻辑电平门

EFC4C002NLTDG
EFC4C002NLTDG
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-XFBGA, WLCSP

8-WLCSP (6x2.5)

Fairchild Semiconductor

Bulk

-

活跃

150°C (TJ)

-

2.6W

2 N-Channel (Dual) Common Drain

-

2.2V @ 1mA

6200pF @ 15V

45nC @ 4.5V

-

逻辑电平门

DMN5L06VK-13
DMN5L06VK-13
Diodes 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOT-563, SOT-666

SOT-563

Diodes Incorporated

Thru-Hole

Bulk

280mA (Ta)

Obsolete

-55°C to +130°C

-

0.1

Pb

250mW

2 N-Channel (Dual)

2Ohm @ 50mA, 5V

1.2V @ 250µA

50pF @ 25V

-

50V

无

Standard

EM6M2T2CR
EM6M2T2CR
ROHM Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Rohm Semiconductor

Tape & Reel (TR)

活跃

*

PMDXB600UNEL,147
PMDXB600UNEL,147
Nexperia 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Nexperia USA Inc.

Bulk

活跃

*

ALD1107SBL
ALD1107SBL
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

Aluminum

Square, Fins

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

蓝色阳极氧化

14

SILICON

小概要

1

PLASTIC/EPOXY

有

ALD1107SBL

RECTANGULAR

Advanced Linear Devices Inc

4

接触制造商

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

ADVANCED LINEAR DEVICES INC

5.27

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14

pushPIN™

有

活跃

EAR99

顶部安装

DUAL

鸥翼

unknown

R-PDSO-G14

COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS

推销

1.181 (30.00mm)

9.30°C/W @ 100 LFM

增强型MOSFET

SWITCHING

P-CHANNEL

1800 Ω

10.6 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

--

--

--

0.984 (25.00mm)

0.984 (25.00mm)

APTM50AM35FTG
APTM50AM35FTG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

SP4

微芯片技术

APTM50

99A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

99

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Half Bridge)

781W

39mOhm @ 49.5A, 10V

5V @ 5mA

14000pF @ 25V

280nC @ 10V

500V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

APTC80TA15PG
APTC80TA15PG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6-P

微芯片技术

APTC80

28A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

28

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

277W

150mOhm @ 14A, 10V

3.9V @ 2mA

4507pF @ 25V

180nC @ 10V

800V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

APTM20DUM05G
APTM20DUM05G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

Aluminium

微芯片技术

317A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Compliant

317

Bulk

APTM20

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Grey

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Dual)

1136W

6mOhm @ 158.5A, 10V

5V @ 10mA

27400pF @ 25V

448nC @ 10V

200V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

120 mm

350 mm

IP40

APTM10DUM02G
APTM10DUM02G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

NO

SP6

7

SILICON

1

UNSPECIFIED

未说明

微芯片技术

150 °C

有

APTM10DUM02G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.23

495 A

495

Bulk

APTM10

495A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

雪崩 额定

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

7

R-XUFM-X7

不合格

2 N-Channel (Dual)

增强型MOSFET

ISOLATED

1250W

SWITCHING

2.5mOhm @ 200A, 10V

4V @ 10mA

40000pF @ 25V

1360nC @ 10V

100V

N-CHANNEL

Discrete Semiconductor Modules

0.0025 Ω

1900 A

100 V

Dual N

3000 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

Discrete Semiconductor Modules

APTMC120AM55CT1AG
APTMC120AM55CT1AG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1

NO

SP1

12

碳化硅

微芯片技术

APTMC120AM55CT1AG

2

不推荐

MICROSEMI CORP

5.65

55 A

55

Bulk

APTMC120

55A (Tc)

活跃

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

-40 °C

未说明

125 °C

有

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

EAR99

FET 通用电源

Silicon Carbide (SiC)

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

R-XUFM-X12

2 N-Channel (Half Bridge)

增强型MOSFET

250

ISOLATED

250W

SWITCHING

49mOhm @ 40A, 20V

2.2V @ 2mA (Typ)

1900pF @ 1000V

98nC @ 20V

1200V (1.2kV)

N-CHANNEL

55 A

0.049 Ω

110 A

1200 V

Dual N

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

250 W

-

APTC90AM60SCTG
APTC90AM60SCTG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Chassis Mount, Screw

NO

4

9

SILICON

Copper, Tin

Non-Compliant

2

400 ns

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

150 °C

有

APTC90AM60SCTG

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

活跃

MICROSEMI CORP

5.72

59 A

Bulk

EAR99

150 °C

-40 °C

Grey

1

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

462 W

UPPER

UNSPECIFIED

compliant

10

R-XUFM-X9

不合格

Grey

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

增强型MOSFET

ISOLATED

70 ns

SWITCHING

20 ns

900 V

N-CHANNEL

59 A

20 V

0.06 Ω

150 A

13.6 nF

900 V

1940 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

60 mΩ

19.1 mm

12.5 mm

31.5 mm

无

UL94 V-0

APTM100H45SCTG
APTM100H45SCTG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

NO

SP4

14

SILICON

1

UNSPECIFIED

未说明

微芯片技术

150 °C

有

APTM100H45SCTG

RECTANGULAR

4

活跃

MICROSEMI CORP

1.61

18 A

18

Bulk

APTM100

18A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14

FLANGE MOUNT

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 7®

e1

有

EAR99

锡银铜

雪崩 额定

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

14

R-XUFM-X14

不合格

4 N-Channel (Half Bridge)

增强型MOSFET

357

ISOLATED

357W

SWITCHING

540mOhm @ 9A, 10V

5V @ 2.5mA

4350pF @ 25V

154nC @ 10V

1000V (1kV)

N-CHANNEL

Discrete Semiconductor Modules

0.54 Ω

72 A

1000 V

Dual N

2500 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

Discrete Semiconductor Modules

PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115
NXP 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

6-UFDFN Exposed Pad

6-HUSON (2x2)

NXP USA Inc.

HT8FBRBVL3P

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

Bulk

2.9A

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

490mW

2 P-Channel (Dual)

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

1V @ 250µA

680pF @ 15V

7.8nC @ 5V

30V

逻辑电平门

APTM50HM35FG
APTM50HM35FG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

微芯片技术

APTM50

99A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

99

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

4 N-Channel (Half Bridge)

781W

39mOhm @ 49.5A, 10V

5V @ 5mA

14000pF @ 25V

280nC @ 10V

500V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

APTM20DUM04G
APTM20DUM04G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

微芯片技术

APTM20

372A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

372

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Dual)

1250W

5mOhm @ 186A, 10V

5V @ 10mA

28900pF @ 25V

560nC @ 10V

200V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

CMS02P02T6-HF
CMS02P02T6-HF
Comchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOT-23-6

SOT-26

芯片技术

Tape & Reel (TR)

2.5A (Tc)

Obsolete

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

1.25W (Tc)

2 P-Channel (Dual)

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

1V @ 250µA

350pF @ 15V

4.8nC @ 4.5V

20V

Standard