类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 本体材质 | 形状 | 包装冷却 | 材料处理 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 颜色 | 行数 | 附加功能 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 房屋颜色 | 配置 | 终端类型 | 附着方法 | 离底高度(鳍的高度) | 强制空气流动时的热阻 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 产品类别 | 屏蔽的 | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 最大rds | 自然环境下的热阻 | 温度上升时的耗散功率 | 产品 | 连接类型 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 直径 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 可燃性等级 | 评级结果 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTM100H35FTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | APTM100 | 22A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 22 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 390W | 420mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 5200pF @ 25V | 186nC @ 10V | 1000V (1kV) | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NVMD3P03R2G | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Nylon | Fairchild Semiconductor | 45 Degrees | AL21/PG16/S45/BL | CE, CSA, UL | Adaptaflex, a Division of T & B | Bulk | 2.34A (Tj) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | Non-Metallic | 730mW (Ta) | 2 P-Channel (Dual) | 85mOhm @ 3.05A, 10V | 2.5V @ 250µA | 750pF @ 24V | 25nC @ 10V | 30V | Standard | Snap-In | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTMC170AM30CT1AG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | NO | SP1 | 12 | 碳化硅 | 微芯片技术 | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.75 | 100 A | U-37768 | Turck | 100 | Bulk | APTMC170 | 100A (Tc) | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | -40 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | Silicon Carbide (SiC) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | R-XUFM-X12 | 2 N Channel (Phase Leg) | 增强型MOSFET | 700 | ISOLATED | 700W | SWITCHING | 30mOhm @ 100A, 20V | 2.3V @ 5mA (Typ) | 6160pF @ 1000V | 380nC @ 20V | 1700V (1.7kV) | N-CHANNEL | 100 A | 0.035 Ω | 200 A | 1700 V | Dual N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 700 W | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXMP6A18DN8QTC | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | YES | 8 | SILICON | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 30 | 有 | ZXMP6A18DN8QTC | RECTANGULAR | Diodes Incorporated | 2 | 活跃 | DIODES INC | 5.61 | 3.7 A | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | HIGH RELIABILITY | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | AEC-Q101 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.055 Ω | 23 A | 60 V | 38.2 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KFC4B22690L | Nuvoton | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-XFLGA, CSP | 4-CSP (1.1x1.1) | Nuvoton Technology Corporation | Tape & Reel (TR) | KFC4 | 3.4A (Ta) | 活跃 | 150°C | Automotive, AEC-Q100 | MOSFET (Metal Oxide) | - | 32mOhm @ 1.7A, 4.5V | 1.4V @ 160µA | 20V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN32D0LVQ-13 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Tape & Reel (TR) | DMN32 | 680mA (Ta) | 活跃 | 10000 | Diodes Incorporated | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel | 480mW (Ta) | 1.2Ohm @ 100mA, 4V | 1.2V @ 250µA | 44.8pF @ 15V | 0.62nC @ 4.5V | 30V | MOSFET | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH020U90MNF2PTG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | - | + 150 C | - 8 V, + 18 V | - 40 C | 20 | onsemi | 压装 | onsemi | onsemi | 14 mOhms | Details | 110 ns | 149 A | Tray | NXH020 | 149A (Tc) | 活跃 | 1200 V | 900 V | 43.2 ns | 4.3 V | 352 W | N-Channel | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tray | - | SiC MOSFET Module | Discrete Semiconductor Modules | Silicon Carbide (SiC) | 2 N-Channel (Dual) | 352W (Tj) | 14mOhm @ 100A, 15V | 4.3V @ 40mA | 7007pF @ 450V | 546.4nC @ 15V | 19.8 ns | 900V | Discrete Semiconductor Modules | - | 功率MOSFET模块 | 2.3 V | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM100H45FT3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | PEI-Genesis | 18 | APTM100 | 18A | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | Bulk | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | * | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 357W | 540mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 2.5mA | 4350pF @ 25V | 154nC @ 10V | 1000V (1kV) | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2521C | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8-TSSOP | Fairchild Semiconductor | Bulk | 5.5A, 3.8A | Obsolete | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerTrench® | 600mW | N and P-Channel | 21mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 1082pF @ 10V | 17nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFC4C002NLTDG | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-XFBGA, WLCSP | 8-WLCSP (6x2.5) | Fairchild Semiconductor | Bulk | - | 活跃 | 150°C (TJ) | - | 2.6W | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | - | 2.2V @ 1mA | 6200pF @ 15V | 45nC @ 4.5V | - | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN5L06VK-13 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | Diodes Incorporated | Thru-Hole | Bulk | 280mA (Ta) | Obsolete | -55°C to +130°C | - | 0.1 | Pb | 250mW | 2 N-Channel (Dual) | 2Ohm @ 50mA, 5V | 1.2V @ 250µA | 50pF @ 25V | - | 50V | 无 | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EM6M2T2CR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Rohm Semiconductor | Tape & Reel (TR) | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMDXB600UNEL,147 | Nexperia | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Nexperia USA Inc. | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ALD1107SBL | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | Aluminum | Square, Fins | Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) | 蓝色阳极氧化 | 14 | SILICON | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 有 | ALD1107SBL | RECTANGULAR | Advanced Linear Devices Inc | 4 | 接触制造商 | MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC | ADVANCED LINEAR DEVICES INC | 5.27 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14 | pushPIN™ | 有 | 活跃 | EAR99 | 顶部安装 | DUAL | 鸥翼 | unknown | R-PDSO-G14 | COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS | 推销 | 1.181 (30.00mm) | 9.30°C/W @ 100 LFM | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 1800 Ω | 10.6 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | -- | -- | -- | 0.984 (25.00mm) | 0.984 (25.00mm) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM50AM35FTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | APTM50 | 99A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 99 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 781W | 39mOhm @ 49.5A, 10V | 5V @ 5mA | 14000pF @ 25V | 280nC @ 10V | 500V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTC80TA15PG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6-P | 微芯片技术 | APTC80 | 28A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 28 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 277W | 150mOhm @ 14A, 10V | 3.9V @ 2mA | 4507pF @ 25V | 180nC @ 10V | 800V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM20DUM05G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | Aluminium | 微芯片技术 | 317A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Compliant | 317 | Bulk | APTM20 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Grey | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 1136W | 6mOhm @ 158.5A, 10V | 5V @ 10mA | 27400pF @ 25V | 448nC @ 10V | 200V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | 120 mm | 350 mm | IP40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM10DUM02G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | NO | SP6 | 7 | SILICON | 1 | UNSPECIFIED | 未说明 | 微芯片技术 | 150 °C | 有 | APTM10DUM02G | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.23 | 495 A | 495 | Bulk | APTM10 | 495A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 N-Channel (Dual) | 增强型MOSFET | ISOLATED | 1250W | SWITCHING | 2.5mOhm @ 200A, 10V | 4V @ 10mA | 40000pF @ 25V | 1360nC @ 10V | 100V | N-CHANNEL | Discrete Semiconductor Modules | 0.0025 Ω | 1900 A | 100 V | Dual N | 3000 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTMC120AM55CT1AG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | NO | SP1 | 12 | 碳化硅 | 微芯片技术 | APTMC120AM55CT1AG | 2 | 不推荐 | MICROSEMI CORP | 5.65 | 55 A | 55 | Bulk | APTMC120 | 55A (Tc) | 活跃 | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | -40 °C | 未说明 | 125 °C | 有 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | FET 通用电源 | Silicon Carbide (SiC) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | R-XUFM-X12 | 2 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | 250 | ISOLATED | 250W | SWITCHING | 49mOhm @ 40A, 20V | 2.2V @ 2mA (Typ) | 1900pF @ 1000V | 98nC @ 20V | 1200V (1.2kV) | N-CHANNEL | 55 A | 0.049 Ω | 110 A | 1200 V | Dual N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 250 W | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTC90AM60SCTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | NO | 4 | 9 | SILICON | Copper, Tin | Non-Compliant | 2 | 400 ns | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 150 °C | 有 | APTC90AM60SCTG | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.72 | 59 A | Bulk | EAR99 | 150 °C | -40 °C | Grey | 1 | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | 462 W | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 10 | R-XUFM-X9 | 不合格 | Grey | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 增强型MOSFET | ISOLATED | 70 ns | SWITCHING | 20 ns | 900 V | N-CHANNEL | 59 A | 20 V | 0.06 Ω | 150 A | 13.6 nF | 900 V | 1940 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 60 mΩ | 19.1 mm | 12.5 mm | 31.5 mm | 无 | UL94 V-0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM100H45SCTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | NO | SP4 | 14 | SILICON | 1 | UNSPECIFIED | 未说明 | 微芯片技术 | 150 °C | 有 | APTM100H45SCTG | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.61 | 18 A | 18 | Bulk | APTM100 | 18A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 | FLANGE MOUNT | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | POWER MOS 7® | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 14 | R-XUFM-X14 | 不合格 | 4 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | 357 | ISOLATED | 357W | SWITCHING | 540mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 2.5mA | 4350pF @ 25V | 154nC @ 10V | 1000V (1kV) | N-CHANNEL | Discrete Semiconductor Modules | 0.54 Ω | 72 A | 1000 V | Dual N | 2500 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMDPB70XP,115 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-HUSON (2x2) | NXP USA Inc. | HT8FBRBVL3P | Cutler Hammer, Div of Eaton Co | Bulk | 2.9A | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 490mW | 2 P-Channel (Dual) | 87mOhm @ 2.9A, 4.5V | 1V @ 250µA | 680pF @ 15V | 7.8nC @ 5V | 30V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM50HM35FG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | APTM50 | 99A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 99 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 781W | 39mOhm @ 49.5A, 10V | 5V @ 5mA | 14000pF @ 25V | 280nC @ 10V | 500V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM20DUM04G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | APTM20 | 372A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 372 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 1250W | 5mOhm @ 186A, 10V | 5V @ 10mA | 28900pF @ 25V | 560nC @ 10V | 200V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMS02P02T6-HF | Comchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-23-6 | SOT-26 | 芯片技术 | Tape & Reel (TR) | 2.5A (Tc) | Obsolete | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 1.25W (Tc) | 2 P-Channel (Dual) | 90mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 350pF @ 15V | 4.8nC @ 4.5V | 20V | Standard |
APTM100H35FTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NVMD3P03R2G
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTMC170AM30CT1AG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ZXMP6A18DN8QTC
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
KFC4B22690L
Nuvoton
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN32D0LVQ-13
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH020U90MNF2PTG
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM100H45FT3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDW2521C
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EFC4C002NLTDG
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN5L06VK-13
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EM6M2T2CR
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PMDXB600UNEL,147
Nexperia
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ALD1107SBL
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM50AM35FTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTC80TA15PG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM20DUM05G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM10DUM02G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTMC120AM55CT1AG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTC90AM60SCTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM100H45SCTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PMDPB70XP,115
NXP
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM50HM35FG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM20DUM04G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CMS02P02T6-HF
Comchip Technology
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
